昭和電工（東京都港区）は14日、秩父事業所でパワー半導体の材料である炭化ケイ素（以下：SiC）エピタキシャルウェハー（以下：エピウェハー）の高品質グレードエピウェハ―「ハイグレードエピ（以下：HGE）」の生産能力増強を決定したと発表した。

　月産能力は現在の3000枚から5000枚に拡大し、2018年4月の稼働開始を予定する。

　SiCパワー半導体は、現在主流のSi（シリコン）に比べ耐高温・耐電圧・大電流特性に優れた半導体材料で、電力制御に用いるモジュールの軽量・小型化と省エネルギー化に貢献することから、次世代パワー半導体として注目されている。

　データセンターのサーバー用電源、新エネルギーの分散型電源に加え、近年は鉄道車両のインバータモジュールや電気自動車用急速充電スタンドでも採用が進み、2020年までのSiCパワーデバイス市場は年率27％と大きな伸びが見込まれている。

　高電圧・大電流に耐えうるパワーモジュールには主にSBD（ショットキーバリアダイオード）とMOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）が搭載されているが、現状はSiC-SBDの量産化が先行し、SiC-MOSFETの実用化には欠陥の低減が課題となっている。

　同社が開発したHGEは、代表的な結晶欠陥である基底面転位（SiC単結晶の基底面に発生する転位）を0.1個/cm2以下に抑えたエピウェハーで、2015年10月の販売開始以降、生産体制は現在フル稼働が続いており、来年以降SiC－MOSFET市場の本格的な立ち上がりが見込まれることから、今回の能力増強を決定した。