キオクシアは23日、3次元フラッシュメモリの生産能力増強のため、北上工場（岩手県北上市）に第2製造棟（K2棟）を建設すると発表した。

　フラッシュメモリ市場は今後もクラウドサービス、5G通信、IoT、AI、自動運転、メタバースなどの普及により、中長期的な拡大が見込まれている。

　K2棟の建設により、最先端フラッシュメモリ製品の生産拡大を通じて市場の需要拡大に対応する。竣工は2023年を予定し、建設投資は営業キャッシュフローの範囲内で行う計画。

　K2棟は、第1製造棟（K1棟）の東側の土地に建設する。地震の揺れを吸収する免震構造を採用するとともに、最新の省エネ製造設備の導入や再生可能エネルギーの利用などで環境面も重視した工場となる予定。

　また、人工知能（AI）を活用した生産システムの導入などを推進し、北上工場全体の生産性やフラッシュメモリ製品の品質を向上させる。なお、管理部門・技術部門が入居する管理棟も同じ敷地内に建設する。

　今後、K2棟で共同投資を行うために米国ウエスタンデジタル社と協議を進めていく予定だとしている。