日本ガイシは24日、名古屋市瑞穂区の本社地区に新研究開発棟を建設すると発表した。

　新棟は、無線通信や光デバイス用、自動運転向け車載センサー用などの新規ウエハー、半導体実装装置用マイクロヒーターなどのDS関連新製品の開発を行う。今後需要が見込まれる8インチサイズのウエハーに対応した接合・加工設備を導入するほか、最先端の半導体プロセスの分析や実験を行えるクリーンルームを設置する。

　また、屋上に太陽光発電設備を設置するなど、省エネルギーにも取り組む。将来的には壁面にペロブスカイト太陽電池を設置し、建物全体で発電した再生可能エネルギーを利用しCO2排出量削減を目指す。

　同社グループは、2030年に新事業化品売上高1,000億円以上を目指す「New Value 1000（NV1000）」も掲げており、達成のため2021年度から10年間で3,000億円を研究開発に投資する計画。取り組みの一環として新研究開発棟を建設し、設備の充実化を図ることでDS関連製品の開発を加速させ、NV1000のうちDS関連の新製品売上高500億円を目指す。